單晶及雙晶衍射法是臨床執業醫師實踐技能考試復習需要了解的知識。

　　單晶衍射法

　　單晶X射線衍射分析的基本方法為勞埃法與周轉晶體法。

　　勞埃法

　　勞埃法以光源發出連續X射線照射置于樣品臺上靜止的單晶體樣品，用平板底片記錄產生的衍射線。根據底片位置的不同，勞埃法可以分為透射勞埃法和背射勞埃法。背射勞埃法不受樣品厚度和吸收的限制，是常用的方法。勞埃法的衍射花樣由若干勞埃斑組成，每一個勞埃斑相應于晶面的1～n級反射，各勞埃斑的分布構成一條晶帶曲線。

　　周轉晶體法

　　周轉晶體法以單色X射線照射轉動的單晶樣品，用以樣品轉動軸為軸線的圓柱形底片記錄產生的衍射線，在底片上形成分立的衍射斑。這樣的衍射花樣容易準確測定晶體的衍射方向和衍射強度，適用于未知晶體的結構分析。周轉晶體法很容易分析對稱性較低的晶體(如正交、單斜、三斜等晶系晶體)結構，但應用較少。

　　雙晶衍射法

　　雙晶衍射儀用一束X射線(通常用Ka1作為射線源)照射一個參考晶體的表面，使符合布拉格條件的某一波長的X射線在很小角度范圍內被反射，這樣便得到接近單色并受到偏振化的窄反射線，再用適當的光闌作為限制，就得到近乎準值的X射線束。把此X射線作為第二晶體的入射線，第二晶體和計數管在衍射位置附近分別以Δθ 及Δ(2θ)角度擺動，就形成通常的雙晶衍射儀。

　　在近完整晶體中，缺陷、畸變等體現在X射線譜中只有幾十弧秒，而半導體材料進行外延生長要求晶格失配要達到10-4或更小。這樣精細的要求使雙晶X射線衍射技術成為近代光電子材料及器件研制的必備測量儀器，以雙晶衍射技術為基礎而發展起來的四晶及五晶衍射技術(亦稱為雙晶衍射)，已成為近代X射線衍射技術取得突出成就的標志。但雙晶衍射儀的第二晶體最好與第一晶體是同種晶體，否則會發生色散。所以在測量時，雙晶衍射儀的參考晶體要與被測晶體相同，這個要求使雙晶衍射儀的使用受到限制。