2011臨床執業醫師考試輔導：突觸后電位

　　根據突觸后膜去極化或超極化，分為興奮性和抑制型突觸后電位

　　(1)興奮性突觸后電位(EPSP)--局部去極化

　　前膜釋放的是興奮性遞質，與突觸后膜對應受體結合，遞質門控通道(化學門控通道)開放，使后膜對Na+和K+的通透性最大，Na+ 內流大于K+外流，發生凈內向電流，使突觸后膜發生局部去極化，產生興奮性突觸后電位(EPSP)，

　　EPSP大，可使突觸后神經元興奮，

　　(2)抑制性突觸后電位(IPSP)--局部超級化

　　前膜釋放的是抑制性遞質，與突觸后膜對應受體結合，使后膜上的遞質(配體)門控Cl-通道開放，對Cl-的通透性最大，引起外向電流，Cl-內流，使突觸后膜發生超極化，產生抑制性突觸后電位(IPSP)，IPSP使突觸后神經元抑制。

　　另外IPSP形成還與K+ 通道開放或Na+ ，Ca2+通道關閉有關

　　(突觸傳遞類似神經肌肉接頭處的信息傳遞，是一種“電―化學―電”的過程;是突觸前膜釋放興奮性或抑制性遞質引起突觸后膜產生興奮性突觸后電位(EPSP)或抑制性突觸后電位(IPSP)的過程。

　　1.EPSP是突觸前膜釋放興奮性遞質，作用突觸后膜上的受體，引起細胞膜對Na+、K+等離子的通透性增加(主要是Na+)，導致Na+內流，出現局部去極化電位。

　　2.IPSP是突觸前膜釋放抑制性遞質(抑制性中間神經元釋放的遞質)，導致突觸后膜主要對Cl-通透性增加，Cl-內流產生局部超極化電位。

　　特點：(1)突觸前膜釋放遞質是Ca2+內流引發的;(2)遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的;(3)EPSP和IPSP都是局部電位，而不是動作電位;(4)EPSP和IPSP都是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關。 )