2019年翻譯資格考試初級筆譯模擬題：單晶硅
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摘要：采用紅外掃描儀、掃描電鏡以及電子束誘生電流儀研究了不同溫度和不同冷卻速度下原生直拉單晶硅的銅沉淀規律。紅外掃描儀觀察發現：只有在熱處理溫度高于800°C的樣品中才能觀察到銅沉淀團，表明在原生單晶硅中銅沉淀溫度為800°C。同時，紅外掃描儀和電子束誘生電流譜儀照片顯示，快冷(30K/s)時，形成高密度的小銅沉淀團;而慢冷(0.3K/s)導致低密度、巨大的星形銅沉淀團的形成。實驗還發現慢冷所形成的星形銅沉淀團對少數載流子具有更強的復合強調。最后，討論了原生直拉單晶硅中銅沉淀規律的機理。
關鍵詞：單晶硅 銅 沉淀
參考譯文
Abstract: Scanning infrared microscopy (SIRM), scanning election microscopy (SEM), and electron beam induced current (EBIC) are used to investigate the precipitation behavior of copper in as-grown Czochralski silicon. Copper-precipitate colonies could be observed through SIRM only in the specimens that experienced annealing at temperatures greater than 800°C. These results indicate that the copper precipitation temperature in the as-grown Czochralski silicon is approximately 800°C. In addition, SIRM and EBIC images show that tiny copper-precipitate colonies with high density formed in the specimens under air-cooling (30K/s), while large star-like colonies with how density generated in the specimens under slow cooling (0.3K/s). Furthermore, the recombination ability of the tiny copper-precipitate colonies. Finally, the mechanism of copper precipitation in as-grown Czochralski silicon is discussed.
Key words: silicon copper precipitation
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