一、化學位移的表示方法

　　1.位移的標準

　　沒有完全裸露的氫核，也沒有絕對的標準。

　　相對標準：四甲基硅烷 Si(CH3)4 (TMS)(內標物)

　　規定其位移常數 δTMS=0

　　2.為什么用TMS作為基準?

　　(1) 12個氫處于完全相同的化學環境，只產生一個尖峰;

　　(2) 屏蔽強烈，位移最大。與有機化合物中的質子峰不重迭;

　　(3) 化學惰性;易溶于有機溶劑;沸點低，易回收。

　　3. 位移的表示方法

　　與裸露的氫核相比，TMS的化學位移最大，但規定 δTMS=0 ，則其他種類氫核的位移應為負值，但規定負號不加。

　　δ小，屏蔽強，共振需要的磁場強度大，在高場出現，

　　δ大，屏蔽弱，共振需要的磁場強度小，在低場出現，

　　δ= [( δν樣 - δνTMS) / δνTMS] 106 (ppm)

　　二、化學位移與屏蔽效應

　　理想化的、裸露的氫核，當滿足共振條件：ν0 / H0 = γ/(2π) 時，產生單一的吸收峰;但這只是在理想情況下，實際上并不存在裸露的氫核。

　　在有機化合物中，氫核不但受周圍不斷運動著的價電子影響。還受到相鄰原子的影響。當有機化合物放入強磁場中時，在外磁場作用下，氫核外運動著的電子產生相對于外磁場方向的感應磁場，起到屏蔽作用，使氫核實際受到的外磁場作用減小：

　　H =(1-σ)H0

　　σ：屏蔽常數。

　　σ越大，表明受到的屏蔽效應越大。

　　共振條件：ν0 = [γ/(2π) ](1-σ)H0

　　由于屏蔽作用的存在，氫核產生共振需要更大的外磁場強度(相對于裸露的氫核)，來抵消屏蔽的影響。 在有機化合物中，各種氫核周圍的電子云密度不同(結構中不同位置)共振頻率有差異，即引起共振吸收峰的位移，這種現象稱為化學位移。

　　高分辨率的儀器能夠記錄有機化合物中具有不同化學位移的各類質子的峰形信號(譜圖)。如右圖所示。但需要建立一個能衡量化學位移大小的標準，使我們能夠反過來根據譜圖中信號峰的化學位移大小，來確定質子在化合物中的位置。