電磁場屏蔽的基本原理

　　對于電磁場，電場分量和磁場分量總是同時存在，只是當頻率較低而且在離騷擾源不遠的地方(即近場條件)，不同特性的騷擾源，其電場分量和磁場分量有很大差別。對于高電壓、小電流的干擾源，近場以電場為主，其磁場分量可以忽略;而對于低電壓、大電流的干擾源，近場以磁場為主，其電場分量可以忽略。對上述兩種特殊情況，可分別按電場屏蔽和磁場屏蔽來考慮。當頻率較高或在離干擾源較遠的地方(即遠場條件)，不論干擾源本身特性如何，均可看作平面波電磁場，電場和磁場都不可忽略，需要將電場與磁場同時屏蔽，即電磁屏蔽。

　　高頻電磁屏蔽的原理主要依據電磁波到達金屬屏蔽體時產生的反射及吸收作用。相差愈大，由反射引起的損耗也愈大;而反射和頻率有關，頻率愈低，反射愈嚴重。

　　當電磁波入射到不同媒質的分界面時，就會發生反射，使穿過界面的電磁能量減弱。由于反射現象而造成的電磁能量損失稱為反射損耗。當電磁波穿過一層屏蔽體時要經過兩個界面，要發生兩次反射。因此，電磁波穿過屏蔽體時的反射損耗等于兩個界面上的反射損耗的總和。

　　對于電場波而言，第一個界面的反射損耗較大，第二個界面的反射損耗較小。對于磁場波而言，情況正好相反，第一個界面的反射損耗較小，第二個界面的反射損耗較大。

　　電磁波在屏蔽材料中傳播時，會有一部分能量轉換成熱量，導致電磁能量損失，損失的這部分能量稱為屏蔽材料的吸收損耗。電磁波在穿透屏蔽體時的能量吸收損耗主要是由渦流引起的。渦流一方面產生反磁場來抵消原干擾磁場，同時產生熱損耗，因此，頻率越高，屏蔽體越厚，渦流損耗也越大。

　　如果輻射源在屏蔽機箱的外部，則反射損耗和吸收損耗都對屏蔽效能有貢獻。如果輻射源在屏蔽機箱內部，則主要是吸收損耗對屏蔽效能有貢獻，因為反射的能量總是在機箱內。

　　在近場區內，特定電磁波的波阻抗隨距離而變化。如果是電場波，隨著距離的增加，波阻抗降低;如果是磁場波，隨著距離的增加，波阻抗升高。在遠場區，波阻抗保持不變。

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